IBM razvil najhitrejši silicijev tranzistor

Korporacija IBM je razvila najhitrejši silicijev tranzistor, ki bo omogočil petkrat hitrejše delovanje mikroprocesorjev. Nov tranzistor poleg izjemne hitrosti porabi tudi manj energije od vseh dosedanjih modelov. Temelji na silicijevem germaniju (SiGe), ki omogoča hitrejši pretok električne energije kot pri navadnem siliciju. Pomembno je to, da silicij še naprej ostaja glavna opora industrije polprevodnikov in da za nadaljevanje razvoja polprevodnikov zaenkrat ne bo potrebe po uvajanju novih, dragih in eksotičnih materialov. Nov tranzistor bo, po besedah IBM-ovih strokovnjakov, izjemno uporaben za povečevanje hitrosti delovanja komunikacijske opreme.