Korporaciji Intel je uspelo izdelati prvi popolnoma funkcionalen pomnilniški čip SRAM (static random access memery), izdelan v 65-nanometrskem tehnološkem procesu. 65-nm tehnologija izdelave (0,065 mikrona) predstavlja naslednjo generacijo množičnega izdelovalnega procesa, uporabljala pa se bo za izdelavo polprevodnikov prihodnosti. Intel namerava tehnološki proces uporabiti v tovarnah, kjer čipe in procesorje proizvajajo iz rezin silicija premera 300 mm. Časovni načrt predvideva množično proizvodnjo leta 2005.
Novi proizvodni proces v 65-nm tehnologiji (nanometer je ena milijardinka metra) ponuja višje zmogljivosti in nižje napetosti tranzistorjev, združuje pa drugo generacijo Intelovega prečiščenega silicija, bakrene povezave visokih hitrosti, kot izolator pa uporablja posebno zlitino z nizkimi vrednostmi k (low-k). Izgradnja čipov v 65-nm tehnologiji bo Intelu omogočila podvojitev števila tranzistorjev, ki jih lahko danes spravi v en čip.
