Znanost in tehnologija

Združene moči pri razvoju novih čipov

New York, Tokyo, 02. 04. 2002 00.00 |

PREDVIDEN ČAS BRANJA: 1 min

IBM, Sony in Toshiba bodo združili svoje moči pri razvoju novih čipov v tehnologiji silicij na izolatorju (SOI – Silicon on Insulator).

Čipi izdelani v novi tehnologiji, naj bi omogočali nekajkrat hitrejše procesorje in druge računalniške čipe. Podjetja bodo v naslednjih štirih letih vložila več sto milijonov dolarjev v projekt, katerega cilj bi bila izdelava čipa iz osnovnih elementov premera 50 nm (0,05 mikronska tehnologija). Seveda bi do te stopnje integracije prišli postopoma. IBM in drugi proizvajalci čipov že imajo 0,1 mikronsko tehnologijo, vendar se le ta uporablja na navadni silicijevi rezini. Nova tehnologija, silicija na izolatorju, bo omogočala veliko hitrejše preklapljanje tranzistorjev v samem čipu, zaradi manjšega nastajanja električnega naboja.

  • Scheppach Visokotlačni čistilnik HCE2600
  • Proklima Talni ventilator
  • Intex Montažni bazen Chevron Prism Frame
  • Zložljiv piknik voziček itStime
  • Sunfun Jakarta Gazebo paviljon Jakarta II
  • Sup Ruby
  • Kingstone Okrogli žar Bullet 57
  • Vrtni ležalnik Marissa
  • Sunfun Viseči senčnik Toskana
  • Voltomat Mobilna klimatska naprava Wi-Fi