silicij
Novi materiali za čipe
21. 05. 2002 00.00
IBM je izpopolnil tranzistorje izdelane s tehnologijo ogljikovih »nano cevk« (Carbon NanoTube – CNT) do stopnje, kjer prekašajo klasične silicijeve tranzistorje.
Združene moči pri razvoju novih čipov
02. 04. 2002 00.00
IBM, Sony in Toshiba bodo združili svoje moči pri razvoju novih čipov v tehnologiji silicij na izolatorju (SOI – Silicon on Insulator).
V boju za večjo ločljivost
11. 02. 2002 00.00
V zadnjih nekaj letih izdelovalci fotoaparatov tekmujejo, kdo bo dosegel večje število pikslov, ki pomenijo ostrejšo fotografijo. Najvišje število trenutno znaša okoli 5 megapikslov.
Toshiba s poli-silicijevo tehnologijo
09. 10. 2001 00.00
Korporacija Toshiba je razkrila prenosne računalnike z ekrani, narejenimi s pomočjo nove nizko-temperaturne, poli-silicijeve tehnologije.
IBM razvil najhitrejši silicijev tranzistor
27. 06. 2001 00.00
Korporacija IBM je razvila najhitrejši silicijev tranzistor, ki bo omogočil petkrat hitrejše delovanje mikroprocesorjev. Nov tranzistor poleg izjemne hitrosti porabi tudi manj energije od vseh dosedanjih modelov. Temelji na silicijevem germaniju (SiGe), ki omogoča hitrejši pretok električne energije kot pri navadnem siliciju. Pomembno je to, da silicij še naprej ostaja glavna opora industrije polprevodnikov in da za nadaljevanje razvoja polprevodnikov zaenkrat ne bo potrebe po uvajanju novih, dragih in eksotičnih materialov. Nov tranzistor bo, po besedah IBM-ovih strokovnjakov, izjemno uporaben za povečevanje hitrosti delovanja komunikacijske opreme.